Substrati ZnO Crystal

Descrizione L'ossido di zinco (ZnO) può essere coltivato come semiconduttore monocristallino con proprietà molto interessanti. Il bandgap si trova nella gamma di 3,4 eV che lo rende attraente per molte delle applicazioni blu e viola in optoelettronica e dispositivi UV. E 'disponibile in pezzi, in cialde ...

Product Details

Descrizione

I cristalli singoli dell'ossido di zinco (ZnO) sono stati coltivati con il metodo idrotermale usando un contenitore interno di platino. Le cialde ZnO da 2 pollici ottenute da questi cristalli sfusi posseggono una cristallità e una purezza estremamente elevata. La resistenza elettrica è altamente uniforme su tutta la zona di wafer. Dopo l'annealing, la struttura della fase e della terrazza è stata osservata sulla superficie della wafer. La densità della fossa dell'acqua è stata ridotta a meno di 80 cm-2. Questi risultati suggeriscono che queste cialde di ZnO da 2 pollici sono adatte per applicazioni di larghezza di banda larga. La bandgap si trova nel 3.4 eVrange che lo rende attraente per molte delle applicazioni blu e viola in optoelettronica e dispositivi UV.

Caratteristiche

Ottima qualità cristallina

Corrispondenza eccellente della grata a nitruro

Facilmente inciso per l'integrazione dei dispositivi

applicazioni

Substrato di circuito a semiconduttore

ZnO LED

Pellicola ZnO

Principali specifiche

materiale

ZnO

Orientamento

[0 0 0 -1] o [1 0 -1 0] <± 0,5="">

Parallelo

10 "

Perpendicolare

5'

Qualità della superficie

10/5

Distorsione d'onda

λ / 4 @ 632nm

Superficie piatta

λ / 8 @ 632nm

Cancella apertura

> 95%

Smussare

<0.1 ×="" 45="">

Spessore / Diametro Tolleranza

± 0,05 mm

Dimensioni massime

Dia 50 × 100mm

rivestimenti

AR / AR @ 940 + 1030; HR @ 1030 + HT @ 940 + AR1030;

Caratteristiche del materiale

Caratteristiche fisiche e chimiche

Tipo di materiale

Singolo cristallo

Struttura di cristallo

Esagonale, a = b = 3.252 Å,
C = 5.313 Å

Peso molecolare

81.47

Indice di rifrazione

N = 1,3836, n = 1,3957 @ 0,405 μm

Perdita riflettente

5,1% @ 4,0 μm; 11,2% @ 0,12 μm

Densità

5,7 g / cm 3

Punto di fusione

1975 ° C

Conduttività termica

6 W / (m · K)

Dilatazione termica

∥a: 6,5 · 10 -6 / ° C; ∥C: 3.7 · 10 -6 / ° C a 20 ° C

Durezza (Mohs)

4

Costante dielettrica

∥C: 4,87; ⊥C: 5.45 @ 95 KHz - 42 MHz

Solubilità in acqua

no

Prodotto standard

Orientamento

Configurazione finale, nm

Spessore, nm

Trasmissione ottica

[0 0 0 -1]

5 × 5

0.5

No = 1,3836,
Ne = 1,3957

@ 0.405 μm

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

8 × 8

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

10 × 10

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

15 × 15

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 25.4

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

Dia 50.8

0.5

[1 0 -1 0]

[0 0 0 -1]

1

[1 0 -1 0]


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